Slične IRF830

  • IRF830
    • 500 V, Power MOS transistor avalanche energy rated
  • IRF840
    • 500 V, Power MOS transistor avalanche energy rated

IRF830 Datasheet i Izvanred

Proizvođač : Philips 

Pakiranje : SOT 

PIN : 3 

Temperature : Min -55 °C | Max 150 °C

Veličina : 63 KB

Application : 500 V, Power MOS transistor avalanche energy rated 

IRF830 Download PDF